s8550三極管

S8550平常可以使用9012、2N5401和2N2907這些PNP管直接代換，這幾種三極管的功率、電壓都在S8850的允許±值內，而且外形及引腳排列都一樣，是完全可以替換的。 在特定情況下，如實現檢波或者作為開關等功能時，可用9012、9015、2N5551、3DG12等代替，在有些電路里對S8050放大倍數要求是很高的，不能隨意替換，必需要用原參數管才能替換，否則電路不能進行正常工作。 擴展資料： 三極管的選型替換： 1.首先要進行參數對比，如果不知道參數可以先在網絡搜索他的規格書。 2.知道參數，尤其是BVCBO，BVCEO，BVEBO，HFE，ft，VCEsat參數。通過各個參數的比較，找相似的產品。 S8550特點： 1.耗散功率PCM：0.625W（環境溫度25℃條件下）； 2.集電極電流ICM：0.5A； 3.集電極-基極電壓V（BR）CBO：40V。 參考資料來源：百度百科—三極管

S8550平常可以使用9012、2N5401和2N2907這些PNP管直接代換，這幾種三極管的功率、電壓都在S8850的允許±值內，而且外形及引腳排列都一樣，是完全可以替換的。 在特定情況下，如實現檢波或者作為開關等功能時，可用9012、9015、2N5551、3DG12等代替，在有些電路里對S8050放大倍數要求是很高的，不能隨意替換，必需要用原參數管才能替換，否則電路不能進行正常工作。 擴展資料： 三極管的選型替換： 1.首先要進行參數對比，如果不知道參數可以先在網絡搜索他的規格書。 2.知道參數，尤其是BVCBO，BVCEO，BVEBO，HFE，ft，VCEsat參數。通過各個參數的比較，找相似的產品。 S8550特點： 1.耗散功率 PCM ：0.625 W（環境溫度25℃條件下）； 2.集電極電流 ICM ：0.5 A； 3.集電極-基極電壓 V（BR）CBO ： 40 V。 參考資料來源：百度百科—三極管

三極管8550是一種常用的普通三極管。
它是一種低電壓，大電流，小信號的PNP型硅三極管。
SS8050
SS8550
參數：耗散功率:
1W(TA=25℃)
2W(TC=25℃)集電極電流1.5A集電極--基極電壓40V集電極--發射極擊穿電壓25V特征頻率fT
最小100MHZ放大倍數：按三極管后綴號分為
B
C
D
共3檔放大倍數
B：85-160
C：120-200
D：160-300引腳排列多為EBCUTC的
S8050
S8550
引腳排列有EBC8050S
8550S
引腳排列有ECB這種管子很少見參數：耗散功率1W集電極電流0.7A集電極--基極電壓30V集電極--發射極擊穿電壓20V特征頻率fT
最小100MHZ
典型產家的目錄沒給出放大倍數：按三極管后綴號分為C
D
E檔C：120-200
D：160-300
E：280-400

基本參數：集電極-基極電壓Vcbo：-40V工作溫度：-55℃ to +150℃和8050（NPN）相對8550三級管參數：類型:開關型; 極性:PNP; 材料:硅; 最大集電極電流(A):0.5 A; 直流電增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集電極發射電壓（VCEO）:25; 頻率:150MHzPE8550 硅 PNP 30V 1.5A 1.1W3DG8550 硅 PNP 25V 1.5A FT=190 *K2SC8550 硅 PNP 25V 1.5A FT=190 *KMC8550 硅 PNP 25V 700mA 200mW 150MHzCS8550 硅 PNP 25V 1.5A FT=190 *K管腳：8550三極管（TO-92封裝）管腳圖（文字朝自己，引腳朝下）從左到右數如下:1腳=E（發射極，帶箭頭的那個），2腳=B（基極），3腳=C（集電極）.8550三極管（SOT-23封裝）管腳圖1、E（發射極)　2、B（基極)　3、C（集電極)以上就是s8550三極管引腳圖參數的相關內容【摘要】 s8550引腳接法圖解【提問】 基本參數：集電極-基極電壓Vcbo：-40V工作溫度：-55℃ to +150℃和8050（NPN）相對8550三級管參數：類型:開關型; 極性:PNP; 材料:硅; 最大集電極電流(A):0.5 A; 直流電增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集電極發射電壓（VCEO）:25; 頻率:150MHzPE8550 硅 PNP 30V 1.5A 1.1W3DG8550 硅 PNP 25V 1.5A FT=190 *K2SC8550 硅 PNP 25V 1.5A FT=190 *KMC8550 硅 PNP 25V 700mA 200mW 150MHzCS8550 硅 PNP 25V 1.5A FT=190 *K管腳：8550三極管（TO-92封裝）管腳圖（文字朝自己，引腳朝下）從左到右數如下:1腳=E（發射極，帶箭頭的那個），2腳=B（基極），3腳=C（集電極）.8550三極管（SOT-23封裝）管腳圖1、E（發射極)　2、B（基極)　3、C（集電極)以上就是s8550三極管引腳圖參數的相關內容【回答】 【回答】

1、VCBO -30 V2、VCEO -20 V3、VEBO -5 V4、Pc 1 W5、Ic -700 mA　　S8550特點：耗散功率 PCM ：0.625 W（環境溫度25℃條件下）集電極電流 ICM ：0.5 A集電極-基極電壓 V（BR）CBO ： 40 V【摘要】 s8550引腳接法圖解【提問】 1、VCBO -30 V2、VCEO -20 V3、VEBO -5 V4、Pc 1 W5、Ic -700 mA　　S8550特點：耗散功率 PCM ：0.625 W（環境溫度25℃條件下）集電極電流 ICM ：0.5 A集電極-基極電壓 V（BR）CBO ： 40 V【回答】 S8550和c8550的引腳相同嗎？【提問】 【回答】 【回答】 【回答】 【回答】 圖1為S8550引腳圖【回答】 圖二維S8550電路總匯【回答】 圖3為單片機通，過S8550控制繼電機電路圖【回答】 圖示為S8550測試12v蓄電池的輸出電路電路【回答】 S8550是否能替C8550使用【提問】 可以替換的S8550和C8550型號相同【回答】 都是NPC類型的，可以體可以替換使用【回答】 引腳也相同嗎？【提問】 S8550和C8550是不一樣的，引🦶也不一樣【回答】 相同的道理S8050和C8050的引腳也不一樣是嗎？【提問】 只是說他們的NPn芯片相同【回答】 可以換【回答】 但是引腳不同【回答】 所以不同【回答】

S8050為NPN型小功率三極管，管腳排列為：1e、2b、3c。s8050三極管測好壞方法如下： 1、將管子正面朝上，用萬用表二極管檔，紅筆接b，黑表筆分別接觸e、c；都顯示導通，壓降在0.55---0.7V之間。 2、 黑筆接b，紅表筆分別接觸e、c；都顯示不通。 3、b懸空，紅表筆接e，黑筆接C，應該不通。 4、b懸空，紅表筆接C，黑筆接E，應該不通。 這樣測試后的結果，就基本判定三極管基本是好的。 擴展資料： 工作狀態判別 1、截止狀態 當加在三極管發射結的電壓小于PN結的導通電壓，基極電流為零，集電極電流和發射極電流都為零，三極管這時失去了電流放大作用，集電極和發射極之間相當于開關的斷開狀態，我們稱三極管處于截止狀態。 2、放大狀態 當加在三極管發射結的電壓大于PN結的導通電壓，并處于某一恰當的值時，三極管的發射結正向偏置，集電結反向偏置，這時基極電流對集電極電流起著控制作用，使三極管具有電流放大作用，其電流放大倍數β=ΔIc/ΔIb，這時三極管處放大狀態。 3、飽和導通 當加在三極管發射結的電壓大于PN結的導通電壓，并當基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處于某一定值附近不怎么變化，這時三極管失去電流放大作用，集電極和發射極之間相當于開關的導通狀態。三極管的這種狀態我們稱之為飽和導通狀態。 根據三極管工作時各個電極的電位高低，就能判別三極管的工作狀態，因此，電子維修人員在維修過程中，經常要拿多用電表測量三極管各腳的電壓，從而判別三極管的工作情況和工作狀態。 參考資料：百度百科—三極管

三極管S8550是PNP型三極管，S8050是NPN型三極管。 將數字式萬用表撥到二極管檔，用萬用表的紅表筆接觸三極管的任意一個管腳，然后黑表筆去測試其余兩個管腳，然后反過來，用萬用表的黑表筆接觸三極管的任意一個管腳，然后紅表筆去測試其余兩個管腳，直到測試出如下結果： 如果三極管的紅表筆接其中一個管腳，而用黑表筆測其它兩個管腳都導通且有電壓顯示，那么此三極管為NPN型三極管，紅表筆所接的管腳為三極管的基極B。 上述測試時其中萬用表的黑表筆接其中一個腳的電壓稍高，那么此腳為三極管的發射極E，剩下的一個腳電壓偏低的就是三極管集電極C。 如果三極管的黑表筆接其中一個管腳，而用紅表筆測其它兩個管腳都導通且有電壓顯示，那么此三極管為PNP型三極管，且黑表筆所接的腳為三極管的基極B。 上述方法測試時其中萬用表的紅表筆接其中一個腳的電壓稍高，那么此腳為三極管的發射極E，剩下的一個腳電壓偏低的就是集電極C。 擴展資料 8050是NPN管，8550是PNP管，它們的耐壓、功率、頻率等什么都是一樣的，只是極性不一樣，所以它們做互補很好的。 晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把正塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種， 從三個區引出相應的電極，分別為基極b發射極e和集電極c。 發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區之間的PN結叫集電結。基區很薄，而發射區較厚，雜質濃度大，PNP型三極管發射區"發射"的是空穴，其移動方向與電流方向一致，故發射極箭頭向里。 NPN型三極管發射區"發射"的是自由電子，其移動方向與電流方向相反，故發射極箭頭向外。發射極箭頭向外。發射極箭頭指向也是PN結在正向電壓下的導通方向。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。 三極管的封裝形式和管腳識別 常用三極管的封裝形式有金屬封裝和塑料封裝兩大類，引腳的排列方式具有一定的規律， 底視圖位置放置，使三個引腳構成等腰三角形的頂點上，從左向右依次為e b c;對于中小功率塑料三極管按圖使其平面朝向自己，三個引腳朝下放置，則從左到右依次為e b c。 參考資料來源：百度百科-三極管

可以使用9014、9013、2N5551這些NPN三極管直接代換。 8050是日本公司生產的NPN硅三極管，其耐壓值為25V，Pcm為1W，Icm為1.5A。若不是驅動大功率負載，可以使用9014、9013、2N5551這些NPN三極管直接代換。 它們引腳排列都一樣，只是上述管子的功率沒有8050大。C1815可以用9014代換，它們參數基本一致，只是該管引腳排列跟9014不一樣。 擴展資料： 類型：NPN 集電極耗散功率Pc：0.625W（貼片：0.3W） 集電極電流Ic：0.5A 集電極-基極電壓Vcbo：40V 集電極-發射極電壓Vceo：25V 集電極-發射極飽和電壓Vce(sat)： 0.6V 特征頻率f： 最小150MHz 按三極管后綴號分為 B C D檔 貼片為 L H檔 放大倍數：B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350 管腳排列順序：E、B、C或E、C、B 參考資料來源：百度百科-S8050

　　這是一個小功率的NPN三極管。\x0d\x0a作用:\x0d\x0a　　把微弱信號放大成輻值較大的電信號, 也用作無觸點開關.\x0d\x0a三極管的分類:\x0d\x0a　　a.按材質分: 硅管、鍺管\x0d\x0a\x0d\x0a　　b.按結構分: NPN 、 PNP\x0d\x0a\x0d\x0a　　c.按功能分: 開關管、功率管、達林頓管、光敏管等.\x0d\x0a\x0d\x0a三極管的主要參數:\x0d\x0a\x0d\x0a　　a. 特征頻率fT:當f= fT時,三極管完全失去電流放大功能.如果工作頻率大于fT,電路將不正常工作.\x0d\x0a\x0d\x0a　　b. 工作電壓/電流:用這個參數可以指定該管的電壓電流使用范圍.\x0d\x0a\x0d\x0a　　c. hFE:電流放大倍數.\x0d\x0a\x0d\x0a　　d. VCEO:集電極發射極反向擊穿電壓,表示臨界飽和時的飽和電壓.\x0d\x0a\x0d\x0a　　e. PCM:最大允許耗散功率.\x0d\x0a\x0d\x0a　　f. 封裝形式：指定該管的外觀形狀,如果其它參數都正確，封裝不同將導致組件無法在.

三極管8050和三極管8550是兩種常用的NPN和PNP型號三極管。它們的區別如下：
1. 極性：8050是NPN型號三極管，8550是PNP型號三極管。這意味著在電路中，兩者的極性相反，具有不同的電流流動方向。
2. 極限電流和電壓：8050的最大集電極電流（IC）一般為500mA，最大發射極電流（IE）一般為200mA，最大集電極-基極電壓（VCEO）一般為25V。8550的最大集電極電流（IC）一般為500mA，最大發射極電流（IE）一般為200mA，最大基極-集電極電壓（VCEO）一般為45V。可見，8550的電流和電壓容量略高于8050。
3. 封裝形式：8050和8550通常都有多種封裝形式，如TO-92、SOT-23等。
4. 使用場景：由于8050和8550都是常用的低功率小信號三極管，它們常用于電子電路中的放大、開關等應用。然而，由于8550的電壓容量較高，適用于一些電路中需要較高電壓的場景。
需要根據具體的應用需求和電路設計要求選擇適合的三極管型號。

三極管8550是一種常用的普通三極管。 它是一種低電壓，大電流，小信號的PNP型硅三極管。最大集電極電流為1.5 A。 8550三級管參數：類型：開關型；極性:PNP；材料:硅；最大集電極電流(A):0.5 A；直流電增益:10 to 60；功耗:625 mW；最大集電極發射電壓（VCEO）:25；頻率:150MHz。 擴展資料： 三極管的放大原理： 1、發射區向基區發射電子 電源Ub經過電阻Rb加在發射結上，發射結正偏，發射區的多數載流子(自由電子）不斷地越過發射結進入基區，形成發射極電流Ie。同時基區多數載流子也向發射區擴散，但由于多數載流子濃度遠低于發射區載流子濃度，可以不考慮這個電流，因此可以認為發射結主要是電子流。 2、基區中電子的擴散與復合 電子進入基區后，先在靠近發射結的附近密集，漸漸形成電子濃度差，在濃度差的作用下，促使電子流在基區中向集電結擴散，被集電結電場拉入集電區形成集電極電流Ic。也有很小一部分電子（因為基區很薄）與基區的空穴復合，擴散的電子流與復合電子流之比例決定了三極管的放大能力。 3、集電區收集電子 由于集電結外加反向電壓很大，這個反向電壓產生的電場力將阻止集電區電子向基區擴散，同時將擴散到集電結附近的電子拉入集電區從而形成集電極主電流Icn。 另外集電區的少數載流子（空穴）也會產生漂移運動，流向基區形成反向飽和電流，用Icbo來表示，其數值很小，但對溫度卻異常敏感。 參考資料來源：百度百科——三極管8550

三者在基極電壓、最大集電極發射電壓以及最大集電極電流等三方面存在區別。 一、基極電壓 8550：基極電壓為為40V。 S8550：基極電壓為為30V。 SS8550：基極電壓為為40V。 二、最大集電極發射電壓 8550：最大集電極發射電壓為25V。 S8550：最大集電極發射電壓為30V。 SS8550：最大集電極發射電壓為25V。 三、最大集電極電流 8550：最大集電極電流為0.5A。 S8550：最大集電極電流為700mA。 SS8550：最大集電極電流為1.5A。 擴展資料 三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有PNP和NPN兩種。 晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。 而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N是負極的意思（代表英文中Negative），N型半導體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產生自由電子導電，而P是正極的意思（Positive）是加入硼取代硅，產生大量空穴利于導電）。 兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。 參考資料來源：百度百科-三極管